퍼듀대 인근에 첫 미국 생산 거점 구축
SK하이닉스가 미국 인디애나주 웨스트 라피엣에서 AI 메모리 생산 거점 구축을 위한 인디애나 팹 기공식을 열었다. 회사는 이곳에 HBM 양산 라인과 어드밴스드 패키징 연구개발 테스트베드를 조성하고, 2029년 하반기부터 패키징과 테스트를 마친 차세대 HBM을 미국 고객에게 공급할 계획이다.
기공식은 지난 27일 현지 시간 퍼듀대학교 할로웨이 체육관에서 열렸다. 인디애나 팹은 SK하이닉스가 미국에 처음 구축하는 AI 메모리 생산 거점으로, 웨스트 라피엣 약 133에이커 부지에 들어선다.
HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 용량과 데이터 처리 성능을 높인 고성능 메모리다. 어드밴스드 패키징은 여러 반도체 칩을 하나로 묶거나 수직으로 쌓아 성능을 높이는 첨단 후공정 기술을 뜻한다.
한미 정부·산학 관계자 참석
AI 수요 확대와 메모리 공급망의 중요성이 커지는 가운데 열린 이날 행사에는 미국 연방 및 인디애나주 주요 인사와 한국 정부, SK그룹 경영진이 참석했다.
미국 측에서는 마이크 브런 인디애나 주지사, 토드 영 연방 상원의원, 미치 대니얼스 퍼듀대학교 총장, 에린 이스터 웨스트 라피엣 시장 등이 자리했다. 한국에서는 강경화 주미한국대사가 참석했으며, SK그룹에서는 유정준 미주총괄 부회장, 이형희 부회장, 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장 등이 함께했다.
마이크 브런 주지사는 SK하이닉스의 팹이 인디애나에 들어서는 데 대해 반도체 혁신에서 지역이 역할을 맡게 됐다고 평가하며, 이번 투자가 지역 성장과 미국 전역의 파급효과로 이어지기를 기대한다고 밝혔다.
미치 대니얼스 퍼듀대학교 총장도 기업 협력을 통한 연구와 일자리 기회 확대의 중요성을 언급하며, SK하이닉스가 현지에서 성공적으로 정착하도록 협력하겠다는 뜻을 밝혔다.
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